Metatek 開發太赫茲（THz）反射式量測技術，專為 n+ 導電型 SiC 基板設計，以非接觸、非破壞的方式完成全晶圓電阻率 mapping。
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太赫茲波對自由載子極為敏感，反射訊號直接反映材料的導電特性，讓電阻率量測從「抽點」走向「全片」。
非接觸、非破壞：不需探針壓接，不留痕跡，量測後的晶圓可直接進入下一道製程。
全晶圓 mapping：逐點掃描整片晶圓，呈現電阻率的空間分布與均勻性，而不只是幾個量測點。
對準 n+ 基板：針對量產主流的低電阻率導電型 SiC 基板設計，以與四點探針的相關性作為驗證基準。
以 THz 時域光譜（THz-TDS）為核心，結合精密 XYZR 載台與物理模型反解。
發射：皮秒級太赫茲脈衝聚焦到晶圓表面。
反射：自由載子改變反射波的振幅與相位。
反解：以 Fresnel／Drude 模型由頻譜反解電導率。
成圖：XYZR 載台逐點掃描，輸出全晶圓分布圖。
基板廠：出貨檢驗｜在不損傷晶圓的前提下確認每片基板的電阻率與均勻性。
磊晶與元件廠：進料檢驗｜在投片前篩出規格外的基板，降低後段良率風險。
長晶製程開發｜以分布圖回饋摻雜均勻性，加速長晶參數調整。
研發與學術合作｜提供寬能隙半導體電性研究的非接觸量測平台。
我們正與 SiC 產業夥伴合作驗證。提供已用四點探針或渦電流量過的樣品，我們將回覆完整的比對報告。
樣品：導電型 SiC 基板，3–5 片
參考數據：四點探針或渦電流量測值
交付：全晶圓分布圖與相關性報告
保密：可簽署保密協議（NDA）
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電子郵件：contact@metatek.tw
據點：台灣・新加坡
來信請註明公司名稱、晶圓尺寸與欲量測的電阻率範圍，我們將盡快回覆。